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Surface-Roughness-Induced Variability in Nanowire InAs Tunnel FETs
2012-01-01 Conzatti, Francesco; Pala, M. G.; Esseni, David
Temperature Dependence of Gate and Substrate Currents in the CHE Crossover Regime
1995-01-01 Esseni, David; Selmi, Luca; Sangiorgi, E; Bez, R; Ricco, B.
Three dimensional distribution of CMOS Latch-up current
1987-01-01 Sangiorgi, E; Ricco, B; Selmi, Luca
Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
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Surface-Roughness-Induced Variability in Nanowire InAs Tunnel FETs | 1-gen-2012 | Conzatti, Francesco; Pala, M. G.; Esseni, David | |
Temperature Dependence of Gate and Substrate Currents in the CHE Crossover Regime | 1-gen-1995 | Esseni, David; Selmi, Luca; Sangiorgi, E; Bez, R; Ricco, B. | |
Three dimensional distribution of CMOS Latch-up current | 1-gen-1987 | Sangiorgi, E; Ricco, B; Selmi, Luca |
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